碳化硅是什么晶體
碳化硅又名碳硅石、金剛砂,是由硅與碳元素以共價(jià)鍵結(jié)合的非金屬碳化物,硅與碳的硬度非常大,僅次于金剛石和碳化硼,目前我國(guó)存在的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體。
碳化硅是什么晶體
碳化硅是一種二元晶體,由碳原子與硅原子共同構(gòu)成,具有極強(qiáng)的耐熱性和耐腐蝕性,具有特殊的結(jié)構(gòu)和物理特性,可以用于各種電子器件、分子晶體和生物材料的制造。
碳化硅晶體具有良好的力學(xué)性能,可以承受較大的應(yīng)力和溫度,常用于制造空氣動(dòng)力發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室、蒸汽發(fā)動(dòng)機(jī)排氣管、超高溫密封件等軍工產(chǎn)品。此外,由于碳化硅晶體具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性,可以用于制造傳感器、熱敏電阻等電子元件。
碳化硅的用途及性質(zhì)
【性質(zhì)】分子式為sic,其硬度介于剛玉和金剛石之間,機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉,可作為磨料和其他某些工業(yè)材料使用。
工業(yè)用碳化硅于1891年研制成功,是最早的人造磨料。在隕石和地殼中雖有少量碳化硅存在,但迄今尚未找到可供開(kāi)采的礦源。
純碳化硅是無(wú)色透明的晶體。
工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。
碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的α-sic和立方體的β-sic(稱立方碳化硅)。
α-sic由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,已發(fā)現(xiàn)70余種。
β-sic于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?sic。
碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)質(zhì)石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊,經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。
碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個(gè)常用的基本品種,都屬α-sic。
1、黑碳化硅含sic約98.5%,其韌性高于綠碳化硅,大多用于加工抗張強(qiáng)度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。
2、綠碳化硅含sic99%以上,自銳性好,大多用于加工硬質(zhì)合金、鈦合金和光學(xué)玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。
此外還有立方碳化硅,它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體,用以制作的磨具適于軸承的超精加工,可使表面粗糙度從ra32~0.16微米一次加工到ra0.04~0.02微米。
碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途,例如:以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁,可提高其耐磨性而延長(zhǎng)使用壽命1~2倍;用以制成的高級(jí)耐火材料,耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高,節(jié)能效果好。
低品級(jí)碳化硅(含sic約85%)是極好的脫氧劑,用它可加快煉鋼速度,并便于控制化學(xué)成分,提高鋼的質(zhì)量。
此外,碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,是一種半導(dǎo)體,高溫時(shí)能抗氧化。
碳化硅與氮化鎵的區(qū)別
碳化硅與氮化鎵是兩種不同的物質(zhì),在應(yīng)用上的區(qū)別在于:
1、性能方面:
具體而言,SiC器件可以承受更高的電壓,最高可達(dá)1200V;GaN器件的工作電壓和功率密度則低于SiC。同時(shí),由于GaN器件的關(guān)斷時(shí)間幾乎為零(與50V/s的Si MOSFET相比,高電子遷移率使GaN的dV/dt大于100V/s),因此可在高頻段提供前所未有的效率和性能。
但是這種理想的正向特性被證明也帶來(lái)不方便,如果器件的寄生電容不接近于零,就會(huì)產(chǎn)生幾十安培的電流尖峰,可能會(huì)在電磁兼容測(cè)試階段造成問(wèn)題。
2、封裝方面:
SiC更有優(yōu)勢(shì),由于可以采用與IGBT和MOSFET相同的TO-247和TO-220封裝,新的SiC可以實(shí)現(xiàn)快速替換。GaN器件則使用更輕、更小的SMD封裝,雖然可以獲得更好的效果,但必須用在新項(xiàng)目中。
3、成本方面:
SiC器件現(xiàn)階段更便宜,更受歡迎,原因之一是其走在了GaN之前。成本只是在一定程度上與生產(chǎn)工藝相關(guān),還與市場(chǎng)需求有關(guān),這也是為什么市場(chǎng)上的價(jià)格會(huì)趨于平坦的原因。由于GaN襯底的生產(chǎn)成本較高,GaN器件通常都基于Si襯底。